山东天岳申请低电阻P型碳化硅晶体专利, 提高半导体结晶质量

金融界2025年1月30日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底及半导体单晶的液相生长方法“的专利，公开号CN119372783A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底及半导体单晶的液相生长方法，属于半导体制备技术领域。该半导体单晶的液相生长方法包括下述工序：在籽晶表面形成保护层的工序；在远离已加热至生长温度的原料溶液液面的状态下，将所述保护层朝向所述液面放置的等待工序；将保护层与原料溶液接触，将保护层溶解于原料溶液的工序；所述保护层由熔点比所述生长温度高的材料、在比所述生长温度低的温度下可溶于所述原料溶液的材料构成。该生长方法能够在加热阶段保护籽晶不受蒸汽液滴的蚀刻，同时还不会引起原料溶液中成分变动，提高半导体的结晶质量，抑制半导体中缺陷的形成。

天眼查资料显示，山东天岳先进科技股份有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本42971.1044万人民币，实缴资本42971.1044万人民币。通过天眼查大数据分析，山东天岳先进科技股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目44次，知识产权方面有商标信息16条，专利信息590条，此外企业还拥有行政许可55个。

本文源自：金融界